RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3448
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link