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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
40
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3448
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
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