Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 40
    Wokół strony -48% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.7 left arrow 13.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 8.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 10600
    Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    40 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.6 left arrow 16.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.3 left arrow 11.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2035 left arrow 2756
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania