RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
71
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1855
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link