RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
71
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.7
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
7.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1855
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link