RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2922
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link