RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2142
3065
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link