RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3579
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link