RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
139
Wokół strony 80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
139
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1152
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link