RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2231
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link