RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
46
Autour de -28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
36
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2231
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link