RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2231
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link