RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
46
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
36
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2231
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link