RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2616
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link