RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2974
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link