RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2910
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link