RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2914
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link