Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 35

Wokół strony 20% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.1 12.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.2 9.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 12800

Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2112 2488

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns