Comparação RAM Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Pontuação geral

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 35

Por volta de 20% menor latência

Razões a considerar
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.1 12.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.2 9.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 12800

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2112 2488

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns