RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
77
Por volta de -250% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3201
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link