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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
50
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
50
Velocidade de leitura, GB/s
11.0
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
7.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1393
2064
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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