Comparación de la memoria RAM Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Puntuación global

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 35

En 20% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.1 12.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.2 9.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 12800

En 2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2112 2488

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns