RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1984
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link