RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2155
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link