RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
28
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
21.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3695
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link