RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3889
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link