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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
41
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
16.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
3889
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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