RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Confronto
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
41
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
24
Velocità di lettura, GB/s
13.3
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
3889
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link