RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
58
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2949
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link