RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3593
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link