RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
58
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,107.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2434
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link