RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2502
2321
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link