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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
比较
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 5% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
37
读取速度,GB/s
15.1
15.4
写入速度,GB/s
9.6
11.6
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2502
2321
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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