RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
76
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
76
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1718
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link