RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
76
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
76
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1718
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link