RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
76
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
76
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1718
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link