RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
76
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
76
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1718
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link