RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2718
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link