RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3060
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link