RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2982
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link