RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2982
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link