RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3055
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Jinyu 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link