RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3055
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link