RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2330
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link