RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4048
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link