RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4048
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link