RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
4048
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link