RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4048
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link