RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3859
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link