RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3859
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link