RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
51
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3152
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link