RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
51
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3152
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link