RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2672
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link